‘반도체기술 中 유출 혐의’ 삼성전자 前수석연구원 영장 기각

국내 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 수석연구원 50대 오모씨의 구속영장이 16일 기각됐다.

이민수 서울중앙지법 영장전담 부장판사는 부정경쟁방지법 위반 혐의를 받는 오씨에 대해 “범행에 대해 사실·법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지의 수사 진행 상황 등에 비춰볼 때 방어권을 보장해줄 필요가 있다”며 구속영장을 기각했다.

이 부장판사는 “별다른 범죄 전력이 없고 주거가 일정하며 수사기관의 수사·소환에 성실히 응해왔다”며 “관련 증거들도 상당수 확보돼 피의자의 심문 태도 등을 감안할 때 구속의 필요성과 상당성이 인정된다고 보기 어렵다”고 덧붙였다.

경찰에 따르면 오씨는 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여개 등을 무단 유출해 중국 기업 청두가오전이 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다.

이날 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)에서 경찰은 오씨로부터 압수한 20나노의 상위 기술인 18나노 D램 공정 설계 자료 일부와 16나노 D램 개발 계획 서류를 재판부에 제출하며 사안이 중대하다고 강조했다.

오씨 측은 혐의를 전면 부인하면서 기억에 의존해 작성한 초안이라고 반박했다.

경찰은 지난해 청두가오전 임원인 오씨의 집을 압수수색하는 과정에서 이 공정도를 발견해 수사해온 것으로 전해졌다. 청두가오전은 삼성전자 상무와 하이닉스반도체 부사장을 지낸 최모(66)씨가 2020년 중국 정부로부터 4600억원을 투자받아 쓰촨성 청두시에 설립한 합작회사다.

류지영 기자